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NTC热敏电阻:晶圆领域 激流勇进

发布时间:2017/12/6    访问人数:339次
就在今年9月19日,沉寂多时的Intel在北京开展了一场有关制程工艺以及晶圆代工的展示活动,试图用数据向外界证明在半导体领域中,谁才是真正的王者。甚至在嘉宾演讲的PPT上,都出现了台积电以及三星的名字,这在以前是非常罕见的,不过这也证明另外两家企业已经给了Intel足够的威胁感。
暗流涌动 晶圆市场强者生存
随着AI、大数据、IoT等应用产品的爆发式发展,先进工艺芯片的需求量也在增加,而现在全球市场能够提供先进制程的晶圆厂寥寥无几,主要以Intel、三星、台积电为代表,并且先进工艺的代工利润率也是非常可观的,所以这三位玩家显然不会在这个领域中轻易退出。
以主流先进制程的竞争来说,在2017年上半年,台积电10nm就已经开始放量增长,而在9月11日台积电在官网宣布联手ARM、Xilinx等公司发布全球首个基于7nm工艺的芯片,并将在2018年正式量产。并且据台媒报道,台积电的5nm将会在2019年进行风险试产阶段。
细微之处 各有所长
而在5nm以下的制程,EUV则是必备工具,三星在明年生产7nm时,将会率先采用EUV,这也让三星能够提前适应EUV,有望加快发展速度。相较之下,台积电的第一代7nm制程将仍然采用传统的浸润式微影技术,第二代才会使用EUV。
暗流涌动 晶圆市场强者生存
三星电子也表示,除了在2017年进行8nmLPP(Low Power Plus低功耗加强版)制程进行风险试产外,还将在2018年推出7nm,同时三星也表示2019年将陆续推出5、6nm制程,而在2020年将投产4nm并导入环绕式闸级架构。
虽然目前台积电由于率先进行7nm的生产先人一步,但由于三星准备提前使用EUV技术,后续发展谁将领先,犹未可知。与此同时,AMD今年推出的Ryzen处理器更是使用了由格罗方德提供的的14nm LPP工艺。
因此,如今Intel的处境已是群狼环饲,所有的竞争对手都在奋力追赶。不过面对这样的局面,Intel也在当时大会上给出了PTT显示,目前Intel的10nm制程依然遥遥领先于三星以及台积电。
以10nm制程为例,Intel产品的最小栅极间距从70nm缩小至54nm,且最小金属间距从52nm缩小至36nm。尺寸的缩小使得逻辑晶体管密度可达到每平方毫米1.008亿个晶体管,是之前Intel14nm制程的2.7倍,大约是业界其他10nm制程的2倍。
据Intel方面透露,在2015年有7套EUV系统,现在有14套,其中分别为8套NXE3300B系统和6套NXE3350B系统。不过Intel目前也表示,光刻胶暂时还不会引入EUV。
在电子电路中,用NTC热敏电阻进行温度补偿是因为许多元器件(如线圈、晶体振荡器、晶体管、液晶屏等)的特性随着温度的变化而变化,且具有正的温度系数。环境温度的变化会导致电信号的偏移,用NTC热敏电阻器进行补偿后就可以使这些元件在很宽的温度范围内正常工作。
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