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NTC热敏电阻:浅谈MOSFET与三极管的ON状态区别

发布时间:2018/1/23    访问人数:119次
NTC热敏电阻:浅谈MOSFET与三极管的ON状态区别

MOSFET和三极管,在ON 状态时,MOSFET通常用Rds,三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况,三极管用饱和Rce,而MOSFET用饱和Vds呢?

三极管ON状态时工作于饱和区,导通电流Ice主要由Ib与Vce决定,由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定,因而Ice就不能简单的仅 由Vce来决定,即不能采用饱和Rce来表示(因Rce会变化)。由于饱和状态下Vce较小,所以三极管一般用饱和Vce表示。

MOS管在ON状态时工作于线性区(相当于三极管的饱和区),与三极管相似,电流Ids由Vgs和Vds决定,但MOS管的驱动电压Vgs一般可保持不变,因而Ids可仅受Vds影响,即在Vgs固定的情况下,导通阻抗Rds基本保持不变,所以MOS管采用Rds方式。

电流可以双向流过 MOSFET的D和S ,正是MOSFET这个突出的优点,让同步整流中没有DCM的概念,能量可以从输入传递到输出,也可以从输出返还给输入。能实现能量双向流动。

接下来我们往深入一点来进行讨论,第一点、MOS的D和S既然可以互换,那为什么又定义DS呢?

对于IC内部的MOS管,制造时肯定是完全对称的,定义D和S的目的是为了讨论电流流向和计算的时候方便。

第二点、既然定义D和S,它们到底有何区别呢?

对于功率MOS,有时候会因为特殊的应用,比如耐压或者别的目的,在NMOS的D端做一个轻掺杂区耐压,此时D,S会有不同。

第三点、D和S互换之后,MOS表现出来的特性,跟原来有何不同呢?比如Vth、弥勒效应、寄生电容、导通电阻、击穿电压Vds。

DS互换后,当Vgs=0时,只要Vds》0.7V管子也可以导通,而换之前不能。当Vgs》Vth时,反型层沟道已形成,互换后两者特性相同。
NTC热敏电阻器用于抑制浪涌电流,具有线路简单、使用可靠的特点。开关电源电路、照明电路等在开机瞬间会产生很大的浪涌电流,其峰值可达正常工作电流的10-100倍,高达数百安培。造成电子设备的失效,或整个电路和设备的损坏。利用NTC热敏电阻电流-电压特性和电流-时间特性,将它与负载串联,通电前NTC热敏电阻阻值较大,通电后热敏电阻由于电流的作用产生温升,NTC热敏电阻的阻值降低,在有效地抑制浪涌电流之后,NTC温度传感器本身消耗的功率很低,不会对正常的工作电流造成影响。时恒电子:http://www.shiheng.com.cn
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